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IBM稱全力支持Rapidus 2027年量產(chǎn)2nm

7 月 1 日消息，IBM 半導(dǎo)體部門總經(jīng)理 Mukesh Khare 在接受日媒《讀賣新聞》采訪時(shí)表示，IBM 正全力支持 Rapidus 在 2027 年實(shí)現(xiàn) 2nm 制程量產(chǎn)的目標(biāo)，雙方的合作有望延續(xù)到更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。

發(fā)表于：7/1/2025

2030年中國(guó)大陸將成為全球最大的半導(dǎo)體晶圓代工中心

7月1日消息，根據(jù)Yole Group的報(bào)告，2030年中國(guó)大陸將成為全球最大的半導(dǎo)體晶圓代工中心。報(bào)告中指出，中國(guó)大陸有望在2030年超越中國(guó)臺(tái)灣，成為全球最大的半導(dǎo)體晶圓代工中心。2024年中國(guó)大陸占全球21%的產(chǎn)能，隨著本土產(chǎn)能的快速擴(kuò)張，中國(guó)大陸的崛起凸顯了在分散且充滿戰(zhàn)略博弈的芯片制造格局中，行業(yè)話語(yǔ)權(quán)正在發(fā)生轉(zhuǎn)移。 6年后！中國(guó)大陸將成全球最大半導(dǎo)體晶圓代工中心：幾nm已不重要 2024年中國(guó)大陸以21%的全球代工產(chǎn)能份額位居第二，僅次于中國(guó)臺(tái)灣（23%）。韓國(guó)以19%的份額排名第三，日本（13%）、美國(guó)（10%）和歐洲（8%）緊隨其后。國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）數(shù)據(jù)顯示，2024年中國(guó)大陸芯片制造商產(chǎn)能增長(zhǎng)15%，達(dá)每月885萬(wàn)片晶圓。這一增長(zhǎng)得益于18座新建半導(dǎo)體晶圓廠的投產(chǎn)，推動(dòng)全球同年產(chǎn)能擴(kuò)張6%。按照這個(gè)擴(kuò)建和發(fā)展速度，中國(guó)半導(dǎo)體接下來(lái)將會(huì)越來(lái)越強(qiáng)大，屆時(shí)幾nm已經(jīng)不是那么重要了，就連英特爾CEO不是都在弱化先進(jìn)的重要性嘛。

發(fā)表于：7/1/2025

臺(tái)積電美國(guó)3nm晶圓廠基建完工預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

6月30日消息，據(jù)臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道，為滿足客戶美國(guó)制造需求的增長(zhǎng)，臺(tái)積電亞利桑那州廠建廠正在加速。據(jù)供應(yīng)鏈透露，規(guī)劃配置3nm先進(jìn)制程的臺(tái)積電亞利桑那州二廠（P2）已經(jīng)完成建設(shè)，整體進(jìn)度有所提前，臺(tái)積電正致力于依據(jù)客戶對(duì)AI相關(guān)的強(qiáng)勁需求加速量產(chǎn)進(jìn)度，預(yù)計(jì)后續(xù)到量產(chǎn)的進(jìn)度將壓縮在約兩年。

發(fā)表于：7/1/2025

三星電子1c nm DRAM內(nèi)存工藝開發(fā)完成

7 月 1 日消息，綜合韓媒 ETNews、AJUNEWS、fnnews 報(bào)道，三星電子當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日下午對(duì)其第六代 10nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存工藝 1c 納米授予生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn) (PRA)。這標(biāo)志著三星完成 1c nm 內(nèi)存開發(fā)，準(zhǔn)備向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移。

發(fā)表于：7/1/2025

碳化硅巨頭Wolfspeed啟動(dòng)破產(chǎn)重組

7 月 1 日消息，美國(guó)碳化硅 (SiC) 技術(shù)企業(yè) Wolfspeed 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 30 日宣布已采取下一步措施實(shí)施此前與主要債權(quán)人達(dá)成的《重組支持協(xié)議》，預(yù)計(jì)將在 2025 年三季度末完成司法重整并恢復(fù)正常運(yùn)營(yíng)。根據(jù) 6 月下旬達(dá)成的《協(xié)議》，Wolfspeed 的總債務(wù)將減少約 70%

發(fā)表于：7/1/2025

香港首座8英寸碳化硅晶圓廠獲批

7 月 1 日消息，據(jù)香港特別行政區(qū)政府新聞公報(bào)網(wǎng)站，香港創(chuàng)新科技署（創(chuàng)科署）6 月 25 日宣布，“創(chuàng)新及科技基金”下設(shè)的“新型工業(yè)評(píng)審委員會(huì)”支持杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司提交的“新型工業(yè)加速計(jì)劃”申請(qǐng)。

發(fā)表于：7/1/2025

臺(tái)積電“2025年中國(guó)技術(shù)論壇”揭秘

在結(jié)束了北美、中國(guó)臺(tái)灣、歐洲、日本等地的年度技術(shù)論壇之后，6月25日，晶圓代工龍頭大廠臺(tái)積電“2025年中國(guó)技術(shù)論壇”正式在上海召開。在此次論壇上，臺(tái)積電介紹了其對(duì)于整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的展望，并面向中國(guó)客戶介紹其最新的技術(shù)進(jìn)展。由于臺(tái)積電面向中國(guó)客戶提供先進(jìn)制程晶圓代工服務(wù)受到了一定的限制（主要是AI芯片相關(guān)），因此，在此次中國(guó)技術(shù)論壇上，臺(tái)積電似乎并未將其尖端制程工藝作為介紹重點(diǎn)。臺(tái)積電官方向芯智訊提供的新聞稿也只是介紹了其先進(jìn)封裝技術(shù)和特殊制程技術(shù)（部分尖端的特殊制程也未介紹）的進(jìn)展以及制造布局。

發(fā)表于：7/1/2025

消息稱三星SF2P下一代2nm工藝優(yōu)先供應(yīng)外部客戶

6 月 29 日消息，韓媒 ZDNews 發(fā)文，認(rèn)為三星 Galaxy S26 系列手機(jī)所搭載的 2nm Exynos 2600 芯片，可能并不會(huì)采用該公司最先進(jìn)的“SF2P”技術(shù)，三星計(jì)劃將相應(yīng)工藝優(yōu)先用于為外部代工客戶打造 AI 芯片，而非率先應(yīng)用于自家手機(jī)。據(jù)悉，目前三星已完成這一“SF2P”下一代 2nm 工藝設(shè)計(jì)，當(dāng)下該公司正積極向潛在客戶推廣這一新工藝，試圖在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 AI 芯片市場(chǎng)中提升市場(chǎng)份額。該制程節(jié)點(diǎn)號(hào)稱相比上一代產(chǎn)品具備多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，包括“性能至高提升 12%、功耗降低 25%、縮小 8% 的芯片面積”等特性。不過(guò)外媒指出，三星代工部門預(yù)計(jì)將把上述技術(shù)主要用于為外部客戶生產(chǎn) AI 芯片。相應(yīng)方案將只面向 Foundry（代工）客戶，而不會(huì)提供給負(fù)責(zé)移動(dòng)芯片設(shè)計(jì)的 System LSI 團(tuán)隊(duì)，這意味著 Exynos 2600 雖然依舊會(huì)使用 2nm 工藝，但有較高概率不會(huì)應(yīng)用 SF2P 技術(shù)。

發(fā)表于：6/30/2025

美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代

發(fā)表于：6/30/2025

2028年全球先進(jìn)制程晶圓制造產(chǎn)能將增長(zhǎng)69%

6月26日消息，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新發(fā)布的預(yù)測(cè)報(bào)告稱，因應(yīng)生成式人工智能（AI）應(yīng)用需求日益增長(zhǎng)，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商加速擴(kuò)產(chǎn)，2028年全球12英寸晶圓月產(chǎn)能將達(dá)到1,110萬(wàn)片規(guī)模，創(chuàng)下歷史新高，2024年至2028年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)7%。

發(fā)表于：6/27/2025

LG Innotek全球首發(fā)銅柱技術(shù)

6 月 27 日消息，韓國(guó)先驅(qū)報(bào)于 6 月 25 日發(fā)布博文，報(bào)道稱 LG Innotek 宣布開發(fā)出全球首個(gè)用于高端半導(dǎo)體基板的高價(jià)值銅柱（Cu-Post）技術(shù)，在保持性能的前提下，讓智能手機(jī)基板尺寸最高可減少 20%，為更輕薄、高性能手機(jī)的發(fā)展邁出重要一步。

發(fā)表于：6/27/2025

ASML攜手蔡司啟動(dòng)5nm分辨率Hyper NA光刻機(jī)開發(fā)

ASML 技術(shù)高級(jí)副總裁：已攜手蔡司啟動(dòng) 5nm 分辨率 Hyper NA 光刻機(jī)開發(fā)

發(fā)表于：6/27/2025

爭(zhēng)奪第二名！2025年英特爾代工大會(huì)直襲三星大本營(yíng)

6月27日消息，英特爾在本月24日在首爾舉行了代工Direct Connect Asia活動(dòng)，這也是英特爾首次在美國(guó)以外的地區(qū)舉辦此類活動(dòng)。英特爾的Direct Connect活動(dòng)類似于臺(tái)積電的技術(shù)研討會(huì)和三星的代工論壇，旨在展示其最新的工藝技術(shù)。

發(fā)表于：6/27/2025

消息稱三星電子7月初向主要客戶出樣HBM4 12Hi內(nèi)存

6 月 27 日消息，韓媒 the bell 當(dāng)?shù)貢r(shí)間 25 日?qǐng)?bào)道稱，三星電子 HBM4 12Hi (36GB) 內(nèi)存的出樣準(zhǔn)備工作已進(jìn)入最后階段。如果內(nèi)部評(píng)估結(jié)果良好，三星計(jì)劃在 7 月初向英偉達(dá)和 AMD 等主要客戶供應(yīng) 12 層堆疊 HBM4 的樣品。

發(fā)表于：6/27/2025

高多層PCB拼板如何省成本？5個(gè)設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)降低30%打樣費(fèi)用

高多層 PCB 打樣成本通常是普通板的 3-5 倍,合理的拼板設(shè)計(jì)可顯著優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)。以下是兼顧性能與成本的實(shí)戰(zhàn)技巧: 一、拼板利用率最大化設(shè)計(jì) 拼板數(shù)量?jī)?yōu)化公式:最佳拼板數(shù) = (大板尺寸/子板尺寸)× 利用率系數(shù)(高多層建議0.85) 例:10 層板子板尺寸 5cm×5cm,選用 30cm×30cm 大板,最佳拼板數(shù)為(30×30)/(5×5)×0.85≈30 片。

發(fā)表于：6/27/2025